| 产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFR5505TRPBF PDF |
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| 产品目录绘图 |
IR Hexfet DPak
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| 标准包装 |
2,000 |
| 系列 |
HEXFET® |
| FET 型 |
MOSFET P 通道,金属氧化物
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| FET 特点 |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss) |
55V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
18A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
110 毫欧 @ 9.6A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs |
32nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds |
650pF @ 25V
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| 功率 - 最大 |
57W
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| 安装类型 |
表面贴装
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| 封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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| 供应商设备封装 |
D-Pak
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| 包装 |
带卷 (TR)
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| 产品目录页面 |
1520 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名称 |
IRFR5505PBFTR IRFR5505TRPBF-ND IRFR5505TRPBFTR-ND
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